报告三

主题：大范围调谐硅基外腔激光器

报告人：郭宇耀

芯片级的宽调谐、窄线宽激光器在超宽带光通信、激光雷达、光传感等领域具有广泛的应用前景。该论文基于III-V宽带增益芯片和低损耗氮化硅外腔芯片实现了170 nm调谐范围的外腔激光器。其中，氮化硅外腔集成了高效模斑转换器、三微环级联窄带滤波器和可调Sagnac反射镜。三微环级联利用游标效应扩大了自由光谱范围，提高了模式选择性；可调反射镜弥补了增益和损耗的不均衡，扩大激光激射波长范围。得益于较大的增益带宽、低损耗氮化硅波导和外腔结构设计，该可调激光器实现了最大波长调谐记录，且在整个调谐范围内，本征线宽低于2.8 kHz，边模抑制比大于64 dB，最大输出光功率24.8 mW。该项研究为硅基大规模集成芯片提供了高性能激光光源，能推动片上光电集成系统的发展。

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